See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Eesti Teadusfondi uurimistoetus" projekt ETF8655
ETF8655 " Nanostruktuursete kalkogeniid-pooljuhtide süntees elektrokeemilise sadestamise meetodil (1.01.2011−31.12.2013)", Julia Kois, Tallinna Tehnikaülikool, Keemia ja materjalitehnoloogia teaduskond.
ETF8655
Nanostruktuursete kalkogeniid-pooljuhtide süntees elektrokeemilise sadestamise meetodil
Photoactive nanostructures formed by electrodeposition of chalcogenide semiconductors
1.01.2011
31.12.2013
Teadus- ja arendusprojekt
Eesti Teadusfondi uurimistoetus
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.11. Keemia ja keemiatehnikaP400 Füüsikaline keemia1.3. Keemiateadused (keemia ja muud seotud teadused)34,0
1. Bio- ja keskkonnateadused1.12. Bio- ja keskkonnateadustega seotud uuringud, näiteks biotehnoloogia, molekulaarbioloogia, rakubioloogia, biofüüsika, majandus- ja tehnoloogiauuringudT360 Biokeemiatehnoloogia 1.5. Bioteadused (bioloogia, botaanika, bakterioloogia, mikrobioloogia, zooloogia, entomoloogia, geneetika, biokeemia, biofüüsika jt33,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.11. Keemia ja keemiatehnikaP401 Elektrokeemia 1.3. Keemiateadused (keemia ja muud seotud teadused)33,0
PerioodSumma
01.01.2011−31.12.20118 880,00 EUR
01.01.2012−31.12.20128 880,00 EUR
01.01.2013−31.12.20138 880,00 EUR
26 640,00 EUR

Kalkogeniid-pooljuhte peetakse tänapäeval perspektiivseteks materjalideks uute kaasaegsete optoelektrooniliste seadmete, päikesepatareide ja laserite valmistamisel. Õhukesekileliste nanostruktuursete pooljuhtkilede sünteesiks on valitud elektrokeemilise sadestamise meetod. Antud meetodi eeliseks on: sünteesiprotsessi madal temperatuur, võimalus täpselt kontrollida ja juhtida sadestamise protsessi ja seega kontrollida sadestatava kile paksust, morfoloogiat, struktuuri ning füsiko-keemilisi omadusi. Elektrokeemilise sünteesi protsessi on materjaliteaduse instituudis uuritud juba 5 aastat ning välja on töötatud sobiv sünteesi meetod nanostruktuursete halkogeniid-pooljuhtide õhukesekileliste (CuInSe2, CdTe, CdSe, ZnSe) päikesepatareide valmistamiseks. Märkimisväärne kogus PV struktuure on valmistatud elektrokeemiliselt sadestatud õhukeste kilede baasil ning saadud struktuure ka uuritud (sealhulgas hübriid PV orgaaniline/anorgaaniline). Samal ajal on veel rida probleeme lahendamata. Antud teadustöös alustatakse elektrokeemilise sadestamise protsessi baasuuringuid eesmärgiga töötada välja nanostruktuursete kalkogeniid-pooljuhtide valmistamise tehnoloogia II –VI rühma elementide (CdSe, ZnSe, SnSe) baasil. Jätkatakse uurimistööd Cu ühendite baasil (CuInSe2, CdTe, CdSe, ZnSe) sadestatud õhukesekileliste nanostruktuursete pooljuhtide valmistamise tehnoloogia väljatöötamist. Projekt on suunatud teadmiste kogumiseks õhuesekileliste ja nanostruktuursete pooljuhtide moodustumismehhanismidest, mis võimaldaksid valmistada kaasaja nõuetele vastavaid seadmeid.
Photoactive nanostructures formed by electrodeposition of chalcogenide semiconductors Chalcogenide semiconductors are considered important technological materials because of their potential applications in optoelectronic devices, solar cells and lasers. Electrodeposition is the attractive features for producing large area devices, low temperature growth and the possibility to control film thickness, morphology and composition by readily adjusting the electrical parameters, as well as the composition of the electrolytic solution. During the last 5 years in our laboratory electrosynthesis of chalcogenide thin film (CuInSe2, CdTe, CdSe, ZnSe) has been investigated and new methods of electrochemical treatments of these films have been developed. On the base of electrosynthesed thin films a number of PV structured has been investigated (including hybrid organic/non-organic PV). At the same time several problem are still unsolved. This objective of proposed research is the study of regularities of the fabrication of chalcogenide semiconductors by electrochemical deposition. The planned project is directed to the goal of setting up the experimental conditions to grow II–VI compounds (CdSe, ZnSe, SnSe and their ternary compounds) and at the continues the investigation of formation of Cu-based (CuInSe2, Cu2Zn,SnSe4) compound semiconductors. The project will be concentrated to the development of scientific principles and technological base of deposition thin semiconductor layers and nanosize structures for new-generation photovoltaic devises.