See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus
"Personaalse uurimistoetuse rühmagrant" projekt PRG753
PRG753 "Takistuslülitusnähtused andmetöötluseks loodud tehismaterjalides (1.01.2020−31.12.2024)", Kaupo Kukli, Tartu Ülikool, Loodus- ja täppisteaduste valdkond, füüsika instituut.
PRG753
Takistuslülitusnähtused andmetöötluseks loodud tehismaterjalides
Resistive switching in artificially designed materials for data processing
1.01.2020
31.12.2024
Teadus- ja arendusprojekt
Personaalse uurimistoetuse rühmagrant
ETIS klassifikaatorAlamvaldkondCERCS klassifikaatorFrascati Manual’i klassifikaatorProtsent
4. Loodusteadused ja tehnika4.12. Protsessitehnoloogia ja materjaliteadusT150 Materjalitehnoloogia2.10 Nanotehnoloogia40,0
4. Loodusteadused ja tehnika4.10. FüüsikaP260 Tahke aine: elektrooniline struktuur, elektrilised, magneetilised ja optilised omadused, ülijuhtivus, magnetresonants, spektroskoopia1.3 Füüsikateadused60,0
PerioodSumma
01.01.2020−31.12.2020257 125,00 EUR
257 125,00 EUR

Projekti eesmärk on uurida ja arendada püsimälusid, mis põhinevad stabiilseid mitme tasemega takistusseisundeid omavatel materjalidel, võimaldavad ümberlülitusi erinevate takistusseisundite vahel ja on seega rakendatavad neuromorfseteks, inimaju operatsioone jäljendavateks arvutusteks. Uudsete üliõhukestest oksiidikihtidest ja grafeenist koosnevate mitmikkihtide kasutamine lubab eeldustekohaselt saavutada stabiilset ja usaldusväärset lülitumist erinevate mäluseisundite vahel, vähendada mäluraku mõõtmeid ja võimsust, mis on vajalik info salvestamiseks ja lugemiseks, ning ehitada mälumaatrikseid, mis on kasutatavad neuromorfseks andmetöötluseks. Mitmekihilised materjalid, mida kasutatakse info salvestamiseks, valmistatakse aatomkihtsadestamise meetodil, mis erinevalt enamusest teistest meetoditest võimaldab kontrollida mitmekihilise struktuuri teket aatomkihi täpsusega ja nii ehitada üles struktuure, mis on kõige sobivamad selliste mäluseadiste jaoks.
The aim of the project is to investigate and develope nonvolatile memories that are based on materials possessing stable multilevel resistivity states, allow switching between the states and thus, enable further development of neuromorphic computing and emulation of human brain performance. Application and studies of novel nanodimensional stacks of ultrathin oxides and graphene is expected to enable stable and reliable switching between multilevel memory states, scaling down the physical dimensions of memory cells, reducing the power consumption needed for saving and reading the information, and building up the matrices for neuromorphic computing. Multilayer material stacks that are used to store the information will be formed using the atomic layer deposition method that, differently from most of other methods, allows control of multilayer structure of materials on an atomic layer level, and engineering structures that are most suitable for applications in this kind of memories.