See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

High Temperature Electrical Conductivity in Donor-Doped II-VI Compounds

Lott, K.; Volobujeva, O.; Öpik, A.; Nirk, T.; Türn, L.; Nõges, M. (2003). High Temperature Electrical Conductivity in Donor-Doped II-VI Compounds. Proceedings : 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10), Warzawa, Poland, 24 July 27 2002. Ed. Godlewski, M . Wiley-VCH, 618−621. (Physica Status Solidi (c); 0(2)).
publitseeritud konverentsiettekanne
Lott, K.; Volobujeva, O.; Öpik, A.; Nirk, T.; Türn, L.; Nõges, M.
  • Inglise
Proceedings : 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10), Warzawa, Poland, 24 July 27 2002
Godlewski, M .
Wiley-VCH
1610-1634
3-527-40435-X
Physica Status Solidi (c)
0(2)
2003
618621
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile