See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

High-power GaInP-AlGaInP quantum-well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy

Tappura, K.; Aarik, J.; Pessa, M. (1996). High-power GaInP-AlGaInP quantum-well lasers grown by solid source molecular beam epitaxy. IEEE Photonics Technology Letters, 8 (3), 319−321.
ajakirjaartikkel
Tappura, K.; Aarik, J.; Pessa, M.
  • Inglise
IEEE Photonics Technology Letters
IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc
1041-1135
8
3
1996
319321
3
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile

Lisainfo

Article
ISI Web of Science