See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

TiO2-based Metal-Insulator-Metal Structures for Future DRAM Storage Capacities

Fröhlich, Karol; Hudec, Boris; Tapajna, Milan; Hušekova, Kristina; Rosova, Alica; Eliaš, Peter; Aarik, Jaan; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Murakami, Katsuhisa; Rommel, Mathias; Bauer, Anton J. (2013). TiO2-based Metal-Insulator-Metal Structures for Future DRAM Storage Capacities. ECS Transactions, 50 (13), 79−87. DOI: 10.1149/05013.0079ecst.
artikkel ajakirjas
Fröhlich, Karol; Hudec, Boris; Tapajna, Milan; Hušekova, Kristina; Rosova, Alica; Eliaš, Peter; Aarik, Jaan; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Murakami, Katsuhisa; Rommel, Mathias; Bauer, Anton J.
  • Inglise
TiO2-baseeruvad metall-isolaator-metallstruktuurid tulevase DRAM-säilituse võimekuse tarbeks
TiO2-based Metal-Insulator-Metal Structures for Future DRAM Storage Capacities
ECS Transactions
50
13
2013
7987
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Ei

Viited terviktekstile

doi.org/10.1149/05013.0079ecst

Lisainfo

Proceedings Paper
TiO2, kondensaator, ALD, lekkevool, dielektriline läbitavus
ISI