See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Characterisation of 1200 V RB-IGBTs with Different Irradiation Levels under Hard and Soft Switching Conditions

Blinov, A.; Korkh, O.; Vinnikov, D.; Waind, P. (2018). Characterisation of 1200 V RB-IGBTs with Different Irradiation Levels under Hard and Soft Switching Conditions. Proceedings of EPE'18 ECCE Europe. EPE'18 ECCE Europe, 1−10.
publitseeritud konverentsiettekanne
Blinov, A.; Korkh, O.; Vinnikov, D.; Waind, P.
  • Inglise
Proceedings of EPE'18 ECCE Europe
IEEE
9789075815290
2018
110
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile

Seotud asutused

IXYS Semiconductor GMBH, now a Littelfuse company.