See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films

Kukli, K.; Aarik, J.; Ritala, M.; Uustare, T.; Sajavaara, T.; Lu, J.; Sundqvist, J.; Aidla, A.; Pung, L.; Harsta, A.; Leskela, M. (2004). Effect of selected atomic layer deposition parameters on the structure and dielectric properties of hafnium oxide films. Journal of Applied Physics, 96 (9), 5298−5307.
ajakirjaartikkel
Kukli, K.; Aarik, J.; Ritala, M.; Uustare, T.; Sajavaara, T.; Lu, J.; Sundqvist, J.; Aidla, A.; Pung, L.; Harsta, A.; Leskela, M.
  • Inglise
Journal of Applied Physics
Amer Inst Physics
0021-8979
96
9
2004
52985307
10
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile