See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Influence of oxygen precursors on atomic layer deposition of HfO2 and hafnium-titanium oxide films: Comparison of O3- and H2O-based processes

Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Mändar, Hugo; Rammula, Raul; Aarik, Jaan (2020). Influence of oxygen precursors on atomic layer deposition of HfO2 and hafnium-titanium oxide films: Comparison of O3- and H2O-based processes. Applied Surface Science, 530, 147229. DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.147229.
artikkel ajakirjas
Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Mändar, Hugo; Rammula, Raul; Aarik, Jaan
  • Inglise
Applied Surface Science
01694332
530
2020
147229
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Ei
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147229