See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Strain Relaxation Mechanism in the Si-SiO2 System and its Influence on the Interface Properties.

Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A. (2008). Strain Relaxation Mechanism in the Si-SiO2 System and its Influence on the Interface Properties. Technologia. Kaunas 2008: Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies. Kaunas, 24-27.09.2008. Ed. Grigonis, A. Kaünas: Lithuanian Academy of Sciences, 204−207.
publitseeritud konverentsiettekanne
Kropman, D.; Mellikov, E.; Öpik, A.; Lott, K.; Volobueva, O.; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, T.; Medvid, A.
  • Inglise
Deformatsiooni relaksatsioon süsteemis Si-SiO2 ja tema mõju piirpinna omadustele
Technologia. Kaunas 2008
Grigonis, A.
Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies. Kaunas, 24-27.09.2008
Kaünas
Lithuanian Academy of Sciences
1822-508X
2008
204207
Ilmunud
5.2. Konverentsiteesid, mis ei kuulu valdkonda 5.1
Teadmata

Viited terviktekstile