See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Atomic layer deposition of high-quality Al2O3 and Al-doped TiO2 thin films from hydrogen-free precursors

Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Rammula, Raul; Mändar, Hugo; Sammelselg, Väino; Hudec, Boris; Hušeková, Kristína; Fröhlich, Karol; Aarik, Jaan (2014). Atomic layer deposition of high-quality Al2O3 and Al-doped TiO2 thin films from hydrogen-free precursors. Thin Solid Films, 565, 19−24. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.06.038.
artikkel ajakirjas
Aarik, Lauri; Arroval, Tõnis; Rammula, Raul; Mändar, Hugo; Sammelselg, Väino; Hudec, Boris; Hušeková, Kristína; Fröhlich, Karol; Aarik, Jaan
  • Inglise
Thin Solid Films
565
2014
1924
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Ei
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.1016/j.tsf.2014.06.038