See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Atomic layer deposition rate, phase composition and performance of HfO2 films on noble metal and alkoxylated silicon substrates

Kukli, K.; Ritala, M.; Pilvi, T.; Aaltonen, T.; Aarik, J.; Lautala, M.; Leskela, M. (2005). Atomic layer deposition rate, phase composition and performance of HfO2 films on noble metal and alkoxylated silicon substrates. Materials Science and Engineering B, 118, 112−116.
ajakirjaartikkel
Kukli, K.; Ritala, M.; Pilvi, T.; Aaltonen, T.; Aarik, J.; Lautala, M.; Leskela, M.
  • Inglise
Materials Science and Engineering B
Elsevier Science SA
0921-5107
118
2005
112116
5
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile