See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Atomic layer deposition of rutile phase TiO2 on RuO2 from TiCl4 and O3: Growth of high-permittivity dielectrics with low leakage current

Aarik, Jaan; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Mändar, Hugo; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Fröhlich, Karol (2013). Atomic layer deposition of rutile phase TiO<sub>2</sub> on RuO<sub>2</sub> from TiCl<sub>4</sub> and O<sub>3</sub>: Growth of high-permittivity dielectrics with low leakage current. Journal of Crystal Growth, 382, 61−66. DOI: 10.1016/jjcrystgro.2013.08.006.
artikkel ajakirjas
Aarik, Jaan; Arroval, Tõnis; Aarik, Lauri; Rammula, Raul; Kasikov, Aarne; Mändar, Hugo; Hudec, Boris; Hus'ekova, Kristina; Fröhlich, Karol
  • Inglise
Rutiili faasis TiO2 aatomkihtsadestamine RuO2 lähtudes TiCl4 ja O3: kõrge dielektrilise läbitavusega ja madala lekkevooluga dielektriku kasv
Atomic layer deposition of rutile phase TiO<sub>2</sub> on RuO<sub>2</sub> from TiCl<sub>4</sub> and O<sub>3</sub>: Growth of high-permittivity dielectrics with low leakage current
Journal of Crystal Growth
0022-0248
382
2013
6166
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile

doi.org/10.1016/jjcrystgro.2013.08.006