See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Low equivalent oxide thickness metal/insulator/metal structures for DRAM application

Hudec, B.; Tapajna, M.; Husekova, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Fröhlich, K. (2008). Low equivalent oxide thickness metal/insulator/metal structures for DRAM application. ASDAM 2008, Conference Proceedings: 7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems; Slovakia; Oct 12-16, 2008. Ed. Hascik, S.;Osvald, J. NEW YORK: IEEE, 123−126.
publitseeritud konverentsiettekanne
Hudec, B.; Tapajna, M.; Husekova, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Fröhlich, K.
  • Inglise
ASDAM 2008, Conference Proceedings
Hascik, S.;Osvald, J.
7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems; Slovakia; Oct 12-16, 2008
NEW YORK
IEEE
9781424423255
2008
123126
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Web of Science Book Citation Index, Web of Science Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile

Lisainfo

Proceedings Paper
ISI Web of Knowledge