See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Analytical TEM characterization of the interfacial layer between ALD HfO2 film and silicon substrate

Lu, J.; Aarik, J.; Sundqvist, J.; Kukli, K.; Harsta, A.; Carlsson, JO. (2005). Analytical TEM characterization of the interfacial layer between ALD HfO2 film and silicon substrate. Journal of Crystal Growth, 273, 510−514.
ajakirjaartikkel
Lu, J.; Aarik, J.; Sundqvist, J.; Kukli, K.; Harsta, A.; Carlsson, JO.
  • Inglise
Journal of Crystal Growth
Elsevier Science BV
0022-0248
273
2005
510514
5
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index, Emerging Sources Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile