See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Effect of growth temperature and postmetallization annealing on the interface and dielectric quality of atomic layer deposited HfO2 on p and n silicon

Duenas, S.; Castan, H.; Garcia, H.; Barbolla, J.; Kukli, K.; Aarik, J. (2004). Effect of growth temperature and postmetallization annealing on the interface and dielectric quality of atomic layer deposited HfO2 on p and n silicon. Journal of Applied Physics, 96 (3), 1365−1372.
ajakirjaartikkel
Duenas, S.; Castan, H.; Garcia, H.; Barbolla, J.; Kukli, K.; Aarik, J.
  • Inglise
Journal of Applied Physics
Amer Inst Physics
0021-8979
96
3
2004
13651372
8
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile