See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Resistive switching in RuO2/TiO2/RuO2 MIM structures for non-volatile memory application

Hudec, B.; Hranai, M.; Hušekova, K.; Aarik, J.; Tarre, A.; Fröhlich, K. (2010). Resistive switching in RuO2/TiO2/RuO2 MIM structures for non-volatile memory application. In: The 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM 2010); Smolenice, Slovakia; 25-27 Oct. 2010 (255−258).. Piscataway, NJ, USA: IEEE.10.1109/ASDAM.2010.5667013.
kogumikuartikkel/peatükk raamatus/kogumikus
Hudec, B.; Hranai, M.; Hušekova, K.; Aarik, J.; Tarre, A.; Fröhlich, K.
  • Inglise
The 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM 2010); Smolenice, Slovakia; 25-27 Oct. 2010
Piscataway, NJ, USA
IEEE
9781424485741
2010
255258
Ilmunud
3.1. Artiklid/peatükid lisas loetletud kirjastuste välja antud kogumikes (kaasa arvatud Thomson Reuters Book Citation Index, Thomson Reuters Conference Proceedings Citation Index, Scopus refereeritud kogumikud)
Teadmata

Viited terviktekstile

dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2010.5667013