See veebileht kasutab küpsiseid kasutaja sessiooni andmete hoidmiseks. Veebilehe kasutamisega nõustute ETISe kasutustingimustega. Loe rohkem
Olen nõus

Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films

Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V. (2006). Influence of carrier gas pressure and flow rate on atomic layer deposition of HfO2and ZrO2 thin films. Applied Surface Science, 252 (16), 5723−5734.
ajakirjaartikkel
Aarik, J.; Aidla, A.; Kasikov, A.; Mändar, H.; Rammula, R.; Sammelselg, V.
  • Inglise
Applied Surface Science
252
16
2006
57235734
Ilmunud
1.1. Teadusartiklid, mis on kajastatud Web of Science andmebaasides Science Citation Index Expanded, Social Sciences Citation Index, Arts & Humanities Citation Index ja/või andmebaasis Scopus (v.a. kogumikud)
Teadmata
WOS

Viited terviktekstile